原子层沉积(ALD)系统—半导体产业制备高性能薄膜不可或缺的技术之一

一、热ALDThermal ALD系统1. 硬件参数反应腔横流模式单腔适配4寸、8寸规格密封圈衬底适配4-8寸单片支持三维复杂衬底、粉末/颗粒、多孔及高纵深比材料温度控制RT-400℃控温精度±0.5℃前驱体配置最高8路源支持液态、固态、气态及臭氧源载气高纯N2、普通N2配备质量流量控制器管路加热可拆卸加热套RT-250℃控温精度±0.5℃压力检测检测范围1000-2.3×10-4Torr2. 工艺与可生长薄膜工艺模式快速沉积、高纵深比、单一氧化物、多元化合物/掺杂薄膜模式可生长薄膜ZrO2、HfO2等氧化物介质薄膜二、等离子体增强ALDPEALD系统1. 硬件参数反应腔喷淋模式双腔衬底适配4-8寸单片支持三维复杂衬底、粉末/颗粒、多孔及高纵深比材料温度控制单腔RT-400℃、双腔RT-500℃控温精度±0.5℃前驱体配置最高8路源支持液态、固态、气态及臭氧源载气高纯Ar、O2、NH3、普通N2管路加热可拆卸加热套RT-250℃控温精度±0.5℃压力检测检测范围1000-2.3×10-4Torr2. 工艺与可生长薄膜工艺模式快速沉积、高纵深比、单一氧化物、多元化合物/掺杂薄膜模式可生长薄膜Ga2O3等氧化物介质薄膜